碳化硅陶瓷工艺流程解析
，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。例如，SiC陶瓷可用作各类轴承滚珠喷嘴密封件切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。
SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物，SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。因此，SiC强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，SiC还有优良的导热性。
SiC具有和两种晶型。-SiC的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格;-SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时，SiC以-SiC形式存在。当高于1600℃时，-SiC缓慢转变成-SiC的各种多型体。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成;对于6H-SiC，即使温度超过2200℃，也常稳定的。SiC中各种多型体之间的能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。
SiC在地球上几乎不存在，仅在中有所发现，因此，工业上应用的SiC粉末都为人工合成。目前，合成SiC粉末的主要方法有：
这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质，在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中，杂质少的呈绿色，杂质多的呈黑色。
在一定的温度下，使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的-SiC粉末。
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200～1500℃的温度范围内发生分解反应，由此制得亚微米级的-SiC粉末。
2018年4月，罗曼缔克瓷砖、伊莉莎白瓷砖国际馆在“陶瓷之都”佛山正式落成，喻示着两大品牌将齐齐面向更宽广的海外市场，形象愈加年轻化、时尚化、国际化。[详细]
